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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제1호
발행연도
2002.1
수록면
18 - 24 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

0.2 ㎛ Wide-Head T-Gate PHEMT 제작에 관한 연구
전병철 ,  윤용순 ,  박현창 외 2명 전자공학회논문지-SD 2002.01 학술저널

1999

전자선 묘화를 이용한 0.2 ㎛의 게이트 길이를 갖는 MIMIC용 Wide-Head T-gate 제작
전병철 ,  박덕수 ,  신재완 외 3명 대한전자공학회 학술대회 1999.11 학술대회자료

초록· 키워드

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본 논문에서는 서로 다른 dose를 갖는 이중 노광 방법을 사용한 전자빔 묘화 방법을 이용하여 0.2 ㎛의 wide-head T-게이트를 갖는 PHEMT를 제작하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 1.3 ㎛의 게이트 머리의 크기를 갖는 wide-head T-게이트를 형성하기 위하여 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA의 3층 레지스트 구조를 사용하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 80 ㎛의 단위 게이트 폭 및 4개의 게이트 핑거를 갖는 PHEMT의 DC 특성으로 323 mA/mm의 드레인 전류 밀도 및 232 mS/mm의 최대 전달 컨덕턴스를 얻었다. 또한 동일한 소자의 RF 특성으로 40 GHz에서 2.91 dB의 S21 이득과 11.42 dB의 MAG를 얻었으며, 전류이득 차단 주파수와 최대 공진 주파수는 각각 63 GHz와 150 GHz였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 0.2 ㎛ T-gate 공정

Ⅲ. PHEMT의 제작

Ⅳ. 제작된 PHEMT의 측정 및 특성 분석

Ⅴ. 결론

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