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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 전자공학회논문지 TC편 제41권 제5호
발행연도
2004.5
수록면
69 - 75 (7page)

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본 논문에서는 낮은 위상잡음을 갖는 X-band용 전압 제어 유전체 공진형 발진기를 설계· 제작하였다. 위상잡음을 개선하기 위하여 저잡음 특성과 프리커 잡음이 낮은 MESFET과 높은 선택도와 Q값이 큰 유전체 공진기를 사용하였다. 또한 바렉터 다이오드는 부하의 영향을 줄이기 위해서 Q-factor가 매우 큰 것을 사용하여야 하며, 전압에 대한 주파수 변동이 선형이 되도록 하기 위해 다이오드의 Gamma가 큰 바렉터 다이오드를 사용하였다. 구현된 회로는 최적의 성능을 갖도록 회로 시뮬레이터인 ADS를 사용하였다. 제작된 전압제어 유전체 공진형 발전기의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 12.05Ghz에서 5.8dRm의 출력 파워와 -30 dBc의 고조파 억압과 100 kHz offest 주파수에서 -114 dBc의 위상잡음 특성을 얻을 수 있었으며, 바렉터 다이오드에 인가되는 전압의 변화에 따른 주파수 동조 범위는 15.2 MHz를 얻었고 이때의 전력 평탄도는 -0.2 dB의 우수한 성능을 얻을 수 있었다. 제작된 발진기는 X-band 에서 국부 발진기로 이용될 수 있음을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1.서론

2.전압 제어 유전체 공진형 발진기

3.VCDRO의 제작 및 측정결과

4.결론

참고문헌

저자소개

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