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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.5
- 수록면
- 547 - 553 (7page)
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A hemispherical asperity moving over a flat plane is simulated based on classical molecular dynamics. The asperity and the plane consist of silicon atoms whose interactions are governed by the Tersoff three-body potential. The gap between the asperity and the plane is maintained to produce attractive normal force in order to investigate the adhesive friction and wear. The simulation focuses on the influence of crystallographic orientation of the contacting surfaces and the moving direction. It is demonstrated that the adhesive friction and wear are lower when crystallographic orientations of the contacting surfaces are different, and also depend on the moving direction relative to the crystallographic orientation.
목차
Abstract
1.서론
2.분자동력학 시뮬레이션 모델
3.결과 및 토의
4.결론
후기
참고문헌
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[학술지(정기간행물)] - / 1996 / Surface Engineering and Microtribology for Microelectromechanical systems 200 : 305 ~ 327
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / Surface Processes in MEMS Technology 30 : 207 ~ 269
[학술지(정기간행물)] - / 1995 / Investigation of the Atomic-Scale Friction and Energy Dissipation in Diamond Using Molecular Dynamics 260 : 205 ~ 211
[학술지(정기간행물)] - / 1997 / Towards a Deeper Understanding of Wear and Friction on the Atomic Scale - A Molecular Dynamics Analysis 211 : 44 ~ 53
[학술지(정기간행물)] - / 1998 / Molecular Dynamics Simulation of Friction on the Atomic Scale 9 : 118 ~ 123
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