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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1995.10
- 수록면
- 691 - 694 (4page)
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The analytic expressions of breakdown voltages for 6H-silicon carbide parallel-plane p+n junction and cylindrical p+n junction are derived by employing, effective ionization coefficient, which is obtained from the ionization coefficients for electron and hole. It is shown in the parallel-plane case that the calculated breakdown field and breakdown voltage agree well with the published experimental results in the range of background doping concentration 10_16~4 ×1017 cm^-3. The analytical results are applicable to the simple prediction of the breakdown voltage in 6H-SiC device.
목차
ABSTRACT
1.INTRODUCTION
2.ANALYSIS
3.RESULTS
4.CONCLUSION
5.REFERENCES
참고문헌 (0)
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