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저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 2001년 ICPE논문집
발행연도
2001.10
수록면
731 - 736 (6page)

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Nowadays various simulation tools are widely used for the design and the analysis of power electronic converters. From the engineering point of view it is rather difficult to parameterize power semiconductor device models without the knowledge of basic physical parameters. In recent years some data sheet driven behavioral models or so called ,,wizard" tools have been introduced to solve this problem. In this contribution some experiences with some user-friendly power semiconductor models will be discussed. Using special simulation test circuits it is possible to get information on the static and dynamic behavior of the parameterized models before they are applied in more complex schemes. These results can be compared with data sheets or with measurements. The application of these models for power loss analysis of inverter type arc welding power sources will be described.

목차

Abstract

Ⅰ.INTRODUCTION

Ⅱ.DATA SHEET BASED DYNAMIC DIODE BEHAVIORAL MODEL

Ⅲ.DATA SHEET BASED DYNAMIC MOSFET AND IGBT BEHAVIORAL MODELS

Ⅳ.ANALYSIS OF ARC WELDING INVERTER POWER SOURCES

Ⅴ.CONCLUSION

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-560-014228702