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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.3 No.4
- 발행연도
- 1998.8
- 수록면
- 509 - 514 (6page)
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Suitable replacement materials for ultrathin. SiO₂ in deeply scaled MOSFETs such as lattice polarizable films, which have much higher permittivities than SiO₂, have bandgaps of only 3.0 to 4.0 eV. Due to these small bandgaps, the reliability of these films as a gate insulator is a serious concern. Ramped voltage, time dependent dielectric breakdown, and hot carrier effect measurements were done on 190 layers of TiO₂which were deposited through the metal-organic chemical vapor deposition of titanium tetrakis-isopropoxide (TTIP). Measurements of the high and low frequency capacitance indicate that virtually no interface states are created during constant current injection stress. The increase in leakage upon electrical stress suggests that uncharged, near-interface states may be created in the TiO₂film near the SiO₂interfacial layer that allow a tunneling current component at low bias.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
References
저자소개
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