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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.3 No.4
- 발행연도
- 1998.8
- 수록면
- 527 - 530 (4page)
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A double-layered passivation combination of oxide followed by silicon nitride was tested to determine how effectively the occurrence of voiding associated with stress migration can be suppressed by the improvement of its topological feature or increase in its thickness. According to the experimental results, there exists a limitation in a thickening of the passivation layel because of an increase in the migration potential. However, an increase in total passivation thickness up to 17000Å did not affect the reliability of memory devices associated with stress migration. In addition, it was discovered that a thickening of a SiN layer up to 10000Å did not result in any delay in the electric speed from the parasitic resistance existing in the path between two passivated Al metal lines, even though the dielectric-breakdown strength of SiN is higher than the die premolding coating.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgement
References
저자소개
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