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This paper presents a method for measuring the energy gap of semiconductor material. The method consists of four main steps : the setting of an energy gap gray level as a reference sample; determining a functional relation between pixel coordinates and wavelengths; scanning the respective pixel coordinates along the x-axis of an image, and converting the coordinates to wavelengths in order to determine the energy gap. The method measures the energy gap optically using the following apparatuses; a light beam, a lens for focusing the light beam, a polychromater for irradiating a spectrum of the light beam to the sample, optical filters, an image acquisition apparatus, an image signal processor, an energy gap detecting and displaying apparatus, a computer for executing the operation and control functions needed to measure the energy gap, and energy gap detecting and displaying software. Initial experimentation conducted on a 4.5 mm thick slab of LEC grown semi-insulating GaAs has revealed tentative confirmation of the proposed theoretical model.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Theory of The Method

Ⅲ. Detailed Description of the Method

Ⅳ. Experimental Validation of the Method

Ⅴ. Conclusion

Acknowledgements

References

저자소개

참고문헌 (0)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-017769381