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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.4 No.1
- 발행연도
- 1999.2
- 수록면
- 124 - 129 (6page)
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In this paper, we report a high quality GaN films on Si substrates with high hole concentrations and low resistivities without post growth treatment using a GAIVBE(Gas Assisted-Ionized Vapor Beam Epitaxy) system equipped with a home-made inductively coupled RP plasma source. X-ray rocking curve measurements for (0002) diffraction showed a FWHM of less than 8 arcmin. The foom temperature hole concentrations obtained were 5×10^(17)~1.6×10^(19) ㎝^(-3), and the mobilities were 2.5~8㎠/Vㆍs. Also we have grown high quality n-type GaN films with the range of electron concentrations of 1.4×10^(17)~4.7×10^(19)cm^(-3) and the mobilities of 180~410 ㎠/Vㆍs. GaN MESFETs have been fabricated with a 250 nm thick channel on a high resistivity GaN layer grown by GAIVBE system. For a gate-source diode reverse bias of 35 V, the gate leakage current was 120 ㎂. From the data, we estimate the transconductance for our GaN MESFET to be 25 ㎳/㎜.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgements
References
저자소개
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