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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.4 No.3
- 발행연도
- 1999.6
- 수록면
- 376 - 380 (5page)
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Electrical reliability of triple polysilicon flash EEPROM is investigated in terms of the effect of offset gate on programming characteristics. The triple-poly device with variation of offset gate length is studied with simulations and electrical measurements. The cell endurance of triple polysilicon flash EEPROM is believed to depend on pulse time and offset gate length. With decrease of offset gate length, program threshold voltage becomes higher and hot carrier effect causes the saturating drain-source voltage to become smaller. The erase threshold voltage in endurance test shows better reliability than program threshold voltage, while program threshold voltage is found to have a strong dependence on offset gate length.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Device structure and Experiment
Ⅲ. Results
Ⅳ. Conclusion
Acknowledgement
References
저자소개
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