지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1995.2
- 수록면
- 29 - 29 (1page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
1995
1994
LSI 급 소자 제작을 위한 3 인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구 ( A Study on Characteristics of Si doped 3 inch GaAs EPITAXIAL Layer Grown by MBE for LSI Application )
이재진
,
이해권
,
맹성재
외 3명
전자공학회논문지-A
1994.07
학술저널
전력 MESFET용 3인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 ( Characteristics of Uniformity of 3＂ GaAs Epitaxial Layer Grown by MBE for Power MESFET Application )
이재진
,
이해권
,
맹성재
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
등록된 정보가 없습니다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
The measurement of In composition in InGaAs / InAlAs / InP P - HEMT structure grown by MBE
한국진공학회 학술발표회초록집
1996 .02
-
저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InAlAs 에피층과 InGaAs / InAlAs 양자 우물 구조의 성장과 분석
Applied Science and Convergence Technology
1998 .11
-
Growth of InP, InGaAs 55um-long nanowires
한국진공학회 학술발표회초록집
2014 .08
-
InGaAs/InAlAs 양자우물구조의 발광특성에 대한 In0.4Al0.6As 버퍼층 성장온도의 영향
Applied Science and Convergence Technology
2011 .11
-
Molecular-beam epitaxy growth and characterization of 7.84-μm quantum cascade laser
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .08
-
MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과
Applied Science and Convergence Technology
2003 .12
-
MBE 에 의한 InGaAs / GaAs P - HEMT 성장과 특성
한국진공학회 학술발표회초록집
1995 .02
-
Electrical characterization of InP/InGaAs/InP infra-red photodetector
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .02
-
성장정지효과에 의한 InGaAs / InP 양자우물구조의 Photoluminescence 특성 변화
Applied Science and Convergence Technology
1998 .05
-
InGaAs/InAlAs Quantum Cascade Lasers Grown by using Metal-organic Vapor-phase Epitaxy
Applied Science and Convergence Technology
2017 .09
-
Terahertz Characteristics of InGaAs with Periodic InAlAs Insertion Layers
Applied Science and Convergence Technology
2018 .11
-
Effects of Strain Relaxation on the Surface morphology of InGaAs/InAlAs layers grown on the lattice mismatched structures
한국진공학회 학술발표회초록집
2007 .02
-
MBE에 의한 HEMT 소자용 In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As / InP 에피택셜층 성장 연구
Applied Science and Convergence Technology
1995 .06
-
CBE growth and doping of InP and InGaAs lattice - matched to InP for high - speed electronic device application
한국진공학회 학술발표회초록집
1997 .02
-
Comparison of Quantum Wells based on InGaAs(P)/InP and InGa(Al)As/InAlAs Material Systems in View of Carrier Escape Times for High-Saturation-Optical-Power Electroabsorption Modulators
Current Optics and Photonics
2007 .09
-
Terahertz Generation and Detection Using InGaAs/InAlAs Multi Quantum Well
한국진공학회 학술발표회초록집
2013 .08
-
집속이온빔을 이용하여 GaAs 기판에 만든 패턴과 MBE로 성장한 InGaAs 양자점의 특징
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
-
Dielectric Induced Interdiffusion of InGaAs / InAlAs Multi - Quantum Wells by Two Step Rapid Thermal Annealing
한국진공학회 학술발표회초록집
1998 .07
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-554-018013774