CBE(Chemical Beam Epitaxy) 와 ALE(Atomic Layer Epitaxy) 성장법에 의한 GaAs Epitaxy 성장

박성주

한국진공학회 학술발표회초록집

1991 .07

Atomic Layer Epitaxy 및 Chemical Beam Epitaxy 방법으로 성장한 GaAs 표면형상의 Atomic Force Microscopy 연구

박성주 ,  하정숙 ,  노정래 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

1994 .02

Droplet epitaxy 방법에 의해 성장된 GaAs 양자점의 광학적 특성

이창명 ,  노삼규 ,  이주인 외 7명

한국진공학회 학술발표회초록집

2002 .02

Molecular Beam Epitaxy 증착온도에 따른 p-n 접합 GaAs 태양전지의 광전변환 효율과 결함상태 연구

김민태 ,  박상우 ,  이동욱 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .02

Room-temperature Ferromagnetism in Tetragonal Mn_2-xCr_xAs Film Grown by Molecular-beam Epitaxy

Younghun Hwang ,  Jeongyong Choi ,  Sunglae Cho

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2008 .12

Droplet Epitaxy법을 이용한 저밀도 GaAs 양자점의 성장

이은혜 ,  송진동 ,  김수연 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2009 .08

Step Annealing Effects on Be-doped GaAs layer grown by Molecular Beam Epitaxy

Jaekyu Kim ,  Chiyoung Pa ,  k 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2007 .08

Strain engineering of GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy

Song-ee Lee ,  Inah Yeo ,  Kyu Tae Lee 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2017 .02

Electrical characteristics of magnesium doped GaAs grown by molecular beam epitaxy: Effects of Mg-surface segregation

Ho Jin Pa ,  k ,  Jong Chul Won 외 9명

한국진공학회 학술발표회초록집

2006 .08

화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장

한일기 ,  이정일

Applied Science and Convergence Technology

2009 .11

New structure of ferromagnetic Fe₁-xMnx thin films on GaAs(100) using molecular beam epitaxy

Sungyoul Choi ,  Jeonyong Choi ,  Soon Cheol Hong 외 6명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2004 .12

저온성장 GaAs 기판을 이용한 ㎔ 신호원의 제작 및 특성

곽민환 ,  강승범 ,  정세영 외 7명

한국진공학회 학술발표회초록집

2008 .08

Arsenic 분압에 따른 GaAs 양자 구조 표면 변화

이은혜 ,  송진동 ,  김수연 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2011 .02

Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD)법에 의한 GaAs와 InGaAs 박막의 선택 에피택시

김성복 ,  박성주 ,  노정래 외 1명

Applied Science and Convergence Technology

1995 .09

Substrate temperature dependence of structural and magnetic properties of Fe₁-xMnx thin films on GaAs(100) using molecular beam epitaxy

Younghun Hwang ,  Jeongyong Choi ,  Soon Cheol Hong 외 7명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2005 .12

Temperature Dependent Photoluminescence from InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

Kyoung Su Lee ,  Gyujin Oh ,  Eun Kyu Kim 외 1명

Applied Science and Convergence Technology

2017 .07

국산 Molecular Beam Epitaxy 장치의 설계 및 제조 방안

김은규 ,  최갑영 ,  김현수 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

1991 .07

GaAs 기반 1300 ㎚ 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성

김광웅 ,  조남기 ,  송진동 외 4명

Applied Science and Convergence Technology

2009 .07

The Optical and morphological properties of InAs quantum dot by changing flux for cooling down temperature GaAs substrate

C.Y. Pa ,  k ,  J.K. Kim 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2007 .08

Physical Properties of High - Tc Thin Films Prepared by Molecular Beam EPITAXY

I.Te ,  asaki. I. Tsukada ,  K. Uchinoku 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

1992 .07