The effect of nucleation layer growth rate on structural and electrical properties of GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)

김동준 ,  문용태 ,  안광순 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .07

Fabrication of the catalyst free GaN nanorods on Si grown by MOCVD

Suk-min Ko ,  Yong-Hoon Cho

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

Influence of CCI₄ on GaAs surface morphology during the AP - MOCVD GaAs growth

Sung Won Jun ,  B.-D. Min ,  Y.Kim 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

1997 .07

Optimization of GaN epitaxial growth by low - pressure MOCVD

Chang-Hee Hong ,  Yuen-Ho Choi ,  Bae-Young Kim

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .06

Low-temperature growth of wafer-scale MoS₂ by MOCVD

Jihun MUN ,  Chegal WON ,  Jeong Won KIM 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

Fabrication of GaN Ring Structure with Broad-band Emission Using MOCVD and Wet Etching Techniques

Young-Chul Sim ,  Seung-Hyuk Lim ,  Yong-Hoon Cho

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .02

Effects of total gas velocity on properties of undoped GaN epitaxial layer grown on sapphire (0001) substrate by MOCVD

K. Chang ,  M.S. Kwon ,  S.I. Cho 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2005 .02

GaN interlayer Effects on structural properties of ZnO nanorods fabricated by MOCVD

S.-H. Pa ,  k ,  S.-Y. Seo 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2005 .08

GaN Heteroepitail Layers Grown on Sapphire Substrate with Various Growth Temperature by MOCVD

Chang ,  Kyung-Hwa ,  Kwon 외 3명

한국결정학회 학술연구발표회

2005 .01

MOCVD 장치 개발

석창길

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .02

Effect of nitridation of sapphire in NH₃ ambient on GaN grown by MOCVD

송근만 ,  김동준 ,  문용태 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2000 .02

질화물계 발광다이오드에서 InGaN/GaN 양자우물구조 내 GaN 보호층에 대한 연구

송기룡 ,  김지훈 ,  이성남

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .02

MOCVD 기법으로 성장한 GaN 에피층의 전자빔 조사를 통한 결함 형성 및 분석

하임경 ,  이동욱 ,  김진석 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2007 .08

Formation of GaAs buffer grown on Germanium by the growth condition of GaAs seed layer

유소영 ,  김효진 ,  류상완

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .08

MOCVD growth of GaN and InGaN in a rotating - disk reactor

문용태 ,  김동준 ,  안광순 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .02

In_xGa_1-xN/GaN 다중양자우물 구조의 광학적 성질 연구

김기홍 ,  김인수 ,  박헌보 외 3명

Applied Science and Convergence Technology

2009 .01

Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교

신희연 ,  이정욱 ,  정성훈 외 2명

Applied Science and Convergence Technology

2002 .04

Growth of GaN Films on Si with a LiGaO₂ Buffer Layer by Single Precursor MOCVD

한성원 ,  임종태 ,  유승호 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2001 .02

저압 MOCVD 방법을 이용한 AlGaAs - GaAs계 이종구조의 성장

백종협 ,  윤미영 ,  이성수 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

1992 .07

MBE와 MOCVD를 이용하여 LAO 기판위에 성장된 GaN의 특성비교

박영신 ,  이정주 ,  양창수 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .07