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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.5
- 수록면
- 48 - 52 (5page)
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The passivation quality and potential of varied single and double stack layers at the front surface and rear surface in silicon solar cells are investigated. The varied layers used in this work are formed by conventional thermal oxidation(CTO), rapid thermal oxidation (RTO), and plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD). It is shown that the SiO2/SiNx double stack layers passivate well on the p-type silicon as well as on the emitter. Double stack layers by SiO2/SiNx are applied to fabricate in solar cells. we achieved 18.5 % and 18.8 % on 0.5 Ω-cm FZ-Si with planar and textured front surface, respectively. The excellent open circuit voltage(Voc) of 675.6 mV is obtained the planar cell with double stack layers.
목차
Abstract
서론
실험
실험 결과 및 고찰
결론
후기
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