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최신(4GDRAM)의 MASK design에서는 전자기파의 산란에 의한 효과를 고려해주는 것이 매우 중요하다. 이를 위하여 시간 영역에서의 유한 차분법을 도입하여 직접 마스크 함수를 계산하였다. 새롭게 도입한 마스크 함수를 사용함으로써 마스크와 렌즈의 효과뿐만아니라 submicron 노광용 위상 변이 마스크의 식각된 옆벽에서의 산란효과를 정확하게 설명할 수 있었다. 산란효과를 줄이기위해 변형된 마스크의 형태에 따른 특성을 살펴보았고, dual wet etch back에 의한 마스크 변형이 가장 좋은 공정 여유도를 제공함을 확인하였다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전자기파의 산란에 대한 수치 해석적 접근
Ⅲ. 결상식의 수정
Ⅳ. 위상 변이 마스크의 형태에 따른 특성
Ⅴ. 요약 및 결론
참고문헌
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v8n4p345