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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제42권 제4호
발행연도
2005.12
수록면
1 - 6 (6page)

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최근 저항이나 캐패시터와 같은 수동소자를 PCB의 내층에 제조하는 임베디드 패시브 기술이 고성능의 IT 제품을 제조하는 데 사용되고 있다. 그런데 임베디드 캐패시터는 정전용량 밀도가 낮아 회로소자로서의 전반적인 응용에 한계가 있다. 본 논문에서는 이러한 한계를 극복하기 위하여 wrinkle형의 전극과 유전체 층을 가진 새로운 임베디드 캐패시터를 제안하였다. FEM 기법을 사용하여 wrinkle형 임베디드 캐패시터의 정전용량 밀도를 평가하였다. Wrinkle형 임베디드 캐패시터는 기존의 평면형 임베디드 캐패시터에 비하여 25.6%∼39.6% 정도 큰 정전용량 밀도를 나타내었다. 특히, thin film형 임베디드 캐패시터에 wrinkle 구조를 적용할 때 정전용량 밀도가 보다 많이 향상되었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. Wrinkle형 임베디드 캐패시터(EC)

Ⅲ. 실험결과

Ⅳ. 결론

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