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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제8권 제1호
발행연도
1998.2
수록면
27 - 33 (7page)

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스파터링법으로 Si(001) 기판 위에 증착된 Fe(1000 Å) / Al₂O₃ (t Å) / Co(1000 Å) 자기 삼층 접합들의 터널링 자기저항 성질을 연구하였다. 두께 t=50~200 Å의 Al₂O₃층을 반응성 rf 스파터링법으로 바닥 자성층위에 직접 증착하였다. 비교를 위해, Pt/Al₂O₃/Pt 터널링 접합을 제조하여 상온에서 전류-전압(I-V) 특성을 측정한 결과, 확연한 비선형 nonomhic 거동을 나타내었다. 이로부터 반응성 스파터링된 Al₂O₃가 상옹에서도 pinhole이 없는 훌륭한 정연 터널링 장벽을 형성함을 확인할 수 있었다. Fe/Al₂O₃/Co 자기 터널링 접합들은 Pt/Al₂O₃/Pt 접합들에 비해 상당한 접합저항의 열화를 보였으며, 상온에서 대략 0.1 %의 터널링 자기저항비를 나타내었다. Fe를 꼭대기 전극으로 하는 접합들에 비해, Co을 꼭대기 전극으로 하는 대부분의 자기 터널링 접합들이 보다 안정된 I-V 및 터널링 자기저항 특성을 보였다. 이러한 실험결과들을 자기 터널링 접합들의 계면구조와 관련지어, Pt/Al₂O₃/Pt 접합과 비교하여 논의하였다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결론

감사의 글

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Abstract

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-428-015141496