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본 연구에서는 RF magnetron reactive sputtering system에 의해 증착된 FeBN, FeSiN막의 자기특성과 비저항의 변화를 연구하였다. 막의 자기특성과 비저항의 변화는 막내에 첨가되는 B, Si, N의 조성에 따라 큰 변화를 나타내었다. 특히 반응가스로 첨가되는 N의 양에 따라 현저한 자기특성 변화를 나타내었으며, 소량의 N의 첨가에 따라 우수한 자기 특성과 비저항이 증가하였다. 그러나 과도한 N의 첨가는 Fe₄N과 같은 질화물의 형성으로 비저항은 증가하였으나 자기 특성은 열화되었다. 제조된 FeBN과 FeSiN 자성막은 1 Oe이하의 보자력과 18~19 kG의 포화자속 밀도, 그리고 1000이상의 투자율을 갖는 우수한 연자기 특성을 보였다. 이때의 막의 조성은 AES(Auger Electron Spectroscopy)로 분석하여 Fe_(75)(BN)_(25), Fe(BiN)₂₂이었으며 비저항값은 100~120 μΩ-㎝이었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
Abstract
참고문헌 (0)
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