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FeN thin films were deposited on glass by RF diode reactive sputtering. The films were annealed in the air and in vacuum. The film annealed in the air showed sharp decrease of saturation magnetization and change of easy axis direction to hard axis direction and vice versa after 300℃ anneal. The coercivity decreased down to 0.5 Oe after 400℃ anneal. After 450 ℃ anneal, the film showed ε-Fe_(2-3)N phase. The films annealed in vacuum showed coercivity increase after 300 ℃ anneal for the film deposited with initial substrate temperature of 35 ℃ and after 400 ℃ anneal for the film deposited with initial substrate temperatue of 170 ℃. These films showed Fe_(16)N₂ X-ray peaks after 450 ℃ anneal.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL PROCEDURE
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES
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