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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.3
- 수록면
- 23 - 26 (4page)
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A magneto-current (MC) was investigated for magnetic tunnel transistor (MTT) with amorphous n-type Si film. A relative MC (more than 49.6%) was observed at an emitter-base bias voltage (V_(EB)) of 0.65 V at room temperature. Above a V_(EB) of 0.70 V, however, a rapid decrease in MC was observed in the amorphous Si-based MTT. The collector current increasing and transfer ratio as emitter-base voltage were mainly due to the rapid creation electrons of conduction band states in the Si collector. This approach would make integration in various components and systems easier than a MTT grown on a semiconductor wafer.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Conclusion
Acknowledgement
References
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