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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.6 No.1
발행연도
2006.3
수록면
38 - 42 (5page)

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We report 1/f noise PSD(Power Spectrum Density) of sub-100 nm MOSFETs as a function of various parameters such as HCS (Hot Carrier Stress), bias condition, temperature, device size and types of MOSFETs. The noise spectra of sub-100 nm devices showed Lorentzian-like noise spectra. We could check roughly the position of a dominant noise source by changing V<SUB>DS</SUB>. With increasing measurement temperature, the 1/f noise PSD of 50 nm PMOS device decreases, but there is no decrease in the noise of NMOS device. RTN (Random Telegraph Noise) was measured from the device that shows clearly a Lorentzian-like noise spectrum in 1/f noise spectrum.
#1/f noise #RTN #Fluctuation #sub-100 nm #MOSFET

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅲ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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