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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.2
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 119 - 123 (5page)
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This work presents the fabrication and characteristics of Bi₂O₃/Si heterojunction prepared by rapid thermal oxidation technique without any postdeposition annealing condition. The bismuth trioxide film was deposited onto monocrystalline Si and glass substrates by rapid thermal oxidation of bismuth film with aid of halogen lamp at 500 ℃/ 45 s in static air. The structural, optical and electrical properties of Bi₂O₃ film were investigated and compared with other published results. The structural investigation showed that the grown films are polycrystalline and multiphase (α-Bi₂O₃ and β-Bi₂O₃). Optical properties revealed that these films having direct optical band gap of 2.55 eV at 300 K with high transparency in visible and NIR regions. Dark and illuminated I-V, C-V, and spectral responsivity of Bi₂O₃/Si heterojunction were investigated and discussed.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENT
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
저자소개
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