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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.3
- 발행연도
- 2006.9
- 수록면
- 131 - 135 (5page)
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High electron mobility transistors with InAs channels and antimonide barriers were grown on Si and GaAs substrates by means of molecular beam epitaxy. While direct growth of Sb materials on Si substrate generates disordered and coalescences 3-D growth, smooth and mirror-like 2D growth can be repeatedly obtained by inserting AlSb QD layers between them. Room-temperature electron mobilities of over 10,000 ㎠/V-s and 20,000 ㎠/v-s can be routinely obtained on Si and GaAs substrates, respectively, after optimizing the buffer structure as well as maintaining InSb-like interface.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL TECHNIQUES
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
저자소개
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