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논문 기본 정보
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- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.4
- 발행연도
- 2006.12
- 수록면
- 257 - 263 (7page)
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New charge pump circuits with low area and high power efficiency are proposed and verified in this paper. These pump circuits do not suffer the voltage stress higher than VDD across their pumping capacitors. Thus they can use the thin-oxide MOSFETs as the pumping capacitors. Using the thin-oxide capacitors can reduce the area of charge pumps greatly while keeping their driving capability. Comparing the new pump (NCP-2) with the conventional pump circuit using the thick-oxide capacitors shows that the power efficiency of NCP-2 is the same with the conventional one but the area efficiency of NCP-2 is improved as much as 71.8% over the conventional one, when the V<SUB>PP</SUB>/V<SUB>DD</SUB> ratio is 3.5 and V<SUB>DD</SUB>=1.8V.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. NEW CHARGE PUMP CIRCUITS
Ⅲ. SIMULATION AND COMPARISON
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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