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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.11
- 수록면
- 49 - 54 (6page)
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The electron-phonon interaction model is proposed and applied to thermal transport in semiconductors at micro/nanoscale. The high electric field in a transistor produces energetic electrons, and their high energies are transferred to the phonon system by electron-phonon scattering in the high field region of transistor. Due to this fact the local hotspot, which is much smaller than the phonon mean free path, occurs in the Si-layer. The full phonon dispersion model based on the Boltzmann transport equation (BTE) with the relaxation time approximation is applied for the phonon-phonon scattering, and the electron-phonon scattering of intervalley and intravalley processes are considered in our proposed model. The simulation results are compared to full phonon dispersion model which treats the electron-phonon scattering as a volumetric heat source term. The comparison shows that the peak temperature in the hotspot region is slightly higher by 4% and more localized than the previous results.
목차
Abstract
1. 서론
2. 포논-포논의 상호작용 모델(full phonon dispersion model)
3. 전자와 포논의 상호작용 모델
4. 모델의 검증
5. 수치해석 결과
6. 결론
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