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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2004도 춘계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2004.4
수록면
36 - 41 (6page)

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A method to measure the interfacial toughness of film/substrate by nanoindenter is proposed. As the thickness of the film decreases, the measurement of the interfacial toughness requires the more sophisticated equipment such as nanoindenter. In this study, the nanoindenter is applied to the substrate near the interface of film/substrate in the direction perpendicular to the normal of the interface, causing the cohesive fracture of the substrate, followed by the interfacial cracking. The specimen of Cu(0.56㎛)/Si(530㎛) are made by sputtering the copper onto the silicon wafer. By scratching the copper surface, we can make the easy interfacial cracking during the nanoindentation. It is found that the averaged values of the interfacial toughness of the Cu/Si is 0.664±0.3 J/㎡. The phase angle of the specimen in this study is ψ ? 36.8° , computed by the method of Suo and Hutchinson.
#interfacial toughness(계면파괴인성치) #nanoindenter(나노압입자) #thin film(박막)

목차

Abstract
1. 서론
2. 평가 이론
3. 실험 방법
4. 결론
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