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본 논문에서는 다이오드를 주기적으로 배열한 구조를 이용한 전압 제어형 전송 선로를 제안한다. 주기적 다이오드 선로 구조를 이용한 전송 선로의 경우, 주기적인 용량에 의해 종래의 전송 선로에 비해 선로 파장이 대폭 축소되며, 인가 전압을 조절하여 전송 선로의 특성 임피던스를 쉽게 제어할 수 있다. 구체적으로는, GaAs ㎜IC 상에 선로 폭 20 ㎛인 전송 선로에 주기적으로 배열된 다이오드가 접속된 경우, 0∼1.05 V 사이의 전압 조정에 의해 80∼20 Ω 범위의 특성 임피던스 조절이 가능하며, 20 ㎓에서의 선로 파장이 종래의 전송 선로가 5.3㎜인 반면, 주기적 다이오드 선로 구조의 경우에는 선로 파장이 1.5 ㎜ 밖에 되지 않는다. 그리고, 본 논문에서는 주기적 다이오드 선로 구조를 이용하여 K 밴드 정합용 λ/4 임피던스 변환기를 GaAs ㎜IC상에 온칩으로 제작하였다. 상기 λ/4 임피던스 변환기를 사용하는 경우, 0.25∼0.75 V 사이의 전압 조정에 의해 30∼100 Ω의 다양한 범위의 임피던스를 가지는 RF 소자간의 임피던스 정합이 가능하다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 주기적으로 배열된 다이오드를 이용한 전압 제어형 전송 선로
Ⅲ. 주기적 다이오드 선로 구조를 이용한 MMIC용 온칩 수동 소자의 제작
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (13)
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1. [학술지(정기간행물)] - B. Matinpour / 2001 / K-Band receiver front-ends in a GaAs metamorphic HEMT process / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 19 : 2459 ~ 2463
2. [학술대회논문] - K. Y. Lin / 2006 / A 25～65 GHz GaAs pHEMT cascaded single stage distributed amplifier with high gain/area efficiency / in Proc. Asia-Pacific Microwave Conf. : 722 ~ 725
3. [학술대회논문] - C. Karnfelt / 2004 / Flip chip assembly of a 40～60 GHz GaAs micostrip amplifier / in Proc. 34th European Microwave Conf. : 89 ~ 92
4. [학술지(정기간행물)] - P. Cortese / 2004 / Fully integrated and plastic packaged 24 GHz VCO for ISM and automotive applications / in Proc. 34th European Microwave Conf : 253 ~ 255
5. [학술대회논문] - S. Kumar / 2004 / Low-cost active frequency-doubler MMIC in SMT package for 6～20 GHz commercial applications / in Proc. 34th European Microwave Conf. : 1021 ~ 1024
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