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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第45卷 第3號
발행연도
2008.3
수록면
1 - 5 (5page)

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본 논문은 고에너지 전자빔을 이용하여 저궤도 인공위성의 실리콘 태양센서의 내방사선 특성 변화를 분석하였다. 일반적으로 저궤도를 선회하는 위성은 반알렌대를 통과하며, 이 안에서 주기적인 운동으로 남극과 북극을 이동하는 하전입자에 의해 전자부품이 쉽게 손상되고 수명이 단축되는 등 악 영향을 받고 있다. 특히 방사선에 의한 SEU (Single Event Upset) 등은 인공위성에 탑재된 반도체 소자의 오동작 유발의 원인이 되고 있다. 본 논문은 한국원자력 연구원의 고에너지 (300 keV ∼ 1MeV) 전자빔 조사장치를 이용하여 태양전지에 전자빔을 조사하고 이 때 변화되는 각각의 파라미터들에 대한 값을 측정하고자 한다. 이러한 연구는 저궤도 인공위성에서 전력을 생산하기 위해서 사용하는 전력용 태양 전지의 방사능 영향을 이해하는데도 많은 영향을 줄 수 있을 것으로 기대된다.
#Electron Beam #Silicon Solar Cells #Van Allen Belt #Radiation effect #Single Event Upset(SEU)

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 과정
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (4)

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1. [단행본] - J H R.ENSIL / 1990 / Maximum Point Tracking A Cost Saving Necessity in Solar Energy systems / IEEE. PESC 90 : 1073 ~ 1077 google schola 2. [단행본] - K. Heumann / 1984 / Optimization of Photovoltaic Solar Systems by Controlled DC-DC Converter under Consideration of Power-Output-Statistics / IPEC-Tokyo '83 : 1049 ~ 1060 google schola 3. [단행본] - H.Y. Tada / 1982 / Solar Cell Radiation Handbook, 3rd Edition / JPL Publication : 69 ~ 82 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 최병호 / 2001 / 양성자 가속기와 산업 / 동위원호회보 Radioisotope journal 16 (1) : 13 ~ 20 dbpia

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