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논문 기본 정보

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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.1
발행연도
2008.3
수록면
40 - 45 (6page)

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We developed small molecular organic nonvolatile 4F² memory cells using metal layer evaporation followed by O₂ plasma oxidation. Our memory cells sandwich an upper α-NPD layer, Al nanocrystals surrounded by Al₂O₃, and a bottom α-NPD layer between top and bottom electrodes. Their nonvolatile memory characteristics are excellent: the V<SUB>th</SUB>, V<SUB>p</SUB> (program), V<SUB>e</SUB> (erase), memory margin (I<SUB>on</SUB>/I<SUB>off</SUB>), data retention time, and erase and program endurance were 2.6V, 5.3V; 8.5V, ?1.5×10², 1×10<SUP>5</SUP>s, and 1×10³ cycles, respectively. They also demonstrated symmetrical current versus voltage characteristics and a reversible erase and program process, indicating potential for terabit-level nonvolatile memory.
#Organic nonvolatile memory #α-NPD #O₂ plasma #Al nanocrystals

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - L. P. Ma / 2002 / / Appl. Phys. Lett 80 : 2997 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - L. Ma / 2003 / / Appl. Phys. Lett 82 : 1419 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - L. D. Bozano / 2005 / / Adv. Funct. Mater 15 : 1933 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. He / 2005 / / J. Appl. Phys 97 : 064507 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - S. Pyo / 2005 / / J. Appl. Phys 98 : 54303 ~ google schola

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