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논문 기본 정보

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대한전자공학회 전자공학회논문지-SC 電子工學會論文誌 第45卷 SC編 第4號
발행연도
2008.7
수록면
35 - 41 (7page)

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메모리 소자가 우주 환경에 노출 되면 우주 방사능에 의해 메모리의 값이 변하는 SEU 현상이 발생한다. 이러한 현상에 대처하가 위하여 위성체에 사용되는 메모리는 필연적으로 오류 탐지 및 극복 기법을 탑재하고 있다. 본 논문에서는 과학기술위성 3호 대용량 메모리 유닛에서 채택하게 될 오류 탐지 및 극복 방식을 알아본다. 오류 극복을 위해 대용량 메모리를 RS(10,8) Reed-solomon 코드로 인코딩/디코딩했을 때 SEU에 의해 메모리의 데이터가 손상 받을 확률을 계산한다. 이 확률식을 기반으로 과학기술위성 3호가 직면할 수 있는 다양한 SEU 발생율에 대하여 그 확률 변화를 분석한다. 이것으로부터 과학기술위성 3호 대용량 메모리 유닛 설계의 중요한 요소 중의 하나인 메모리 인코딩/디코딩 주기를 결정하는데 이용하고자 한다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SEU 발생 메커니즘
Ⅲ. 대용량 메모리 유닛 구조
Ⅳ. 대용량 메모리 SEU 확률 해석
Ⅴ. 시뮬레이션 결과
Ⅵ. 결론
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