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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.9
- 수록면
- 79 - 84 (6page)
이용수
초록· 키워드
기술의 발달과 함께 회로의 동작 주파수와 신호의 스위칭 속도가 증가하였다. 신호의 스위칭 밀도에 대하여 정확히 예측 할 수 있다면 보다 안정된 파워 플래인을 설계할 수 있다. 칩에서 예기치 못한 신호의 지연이 발생했을 때 문제를 해결하는데 많은 어려움이 있다. 따라서 회로를 수정하거나 칩의 특성을 정하는 단계에서 스위칭 밀도의 증가를 파악하는 것은 중요하다. 본 논문에서는 보간법을 이용하여 회로 설계단계에서 스위칭 밀도를 계산하는 방법을 제안했다. 여기서는 링 오실레이터의 스위칭 빈도와 신호의 지연 사이의 관계를 이용하여 보간법을 통해 신호의 스위칭 밀도를 계산하였다. 링 오실레이터는 스위칭이 많이 일어나서 신호의 지연이 축적된 후에 그라운드 바운스의 영향을 측정하기 위해 사용되었다. 실험은 동부 하이텍의 0.18um CMOS 공정 파리미터를 통해 진행하였다.
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목차
- 요약
- Abstract
- Ⅰ. 서론
- Ⅱ. 스위칭 밀도 측정을 위한 회로 구조
- Ⅲ. Local Loop
- Ⅳ. Ring Oscillator를 이용한 simultaneous switching 신호의 밀도 분석
- Ⅴ. 결론
- 참고문헌
- 저자소개
참고문헌
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