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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국광학회 Current Optics and Photonics Journal of the Optical Society of Korea Vol.12 No.4
발행연도
2008.12
수록면
288 - 297 (10page)

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Recent research efforts on study of silicon photonics utilizing stimulated Raman scattering have largely overlooked temperature effects. In this paper, we incorporated the temperature dependences into the key parameters governing wave propagation in silicon waveguides with Raman gain and investigated how the temperature affects the solution of the coupled-mode equations. We then carried out, as one particular application example, a numerical analysis of the performance of wavelength converters based on stimulated Raman scattering at temperatures ranging from 298 K to 500 K. The analysis predicted, among other things, that the wavelength conversion efficiency could decrease by as much as 12 ㏈ at 500 K in comparison to that at the room temperature. These results indicate that it is necessary to take a careful account of temperature effects in designing, fabricating, and operating Raman silicon photonic devices.

목차

Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. BASIC CONCEPTS AND THEORY
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

참고문헌 (24)

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