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이용수
Abstract
1. 서론
2. 제작방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
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저온 및 고온제작 Poly-Si TFT′s의 수소화 효과
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
선택적으로 도핑된 채널을 가지는 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
마이크로웨이브법으로 고상결정화 시킨 poly-Si 박막을 이용하여 제작한 저온 poly-Si TFT의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
새로운 레이저 어닐링 방법을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
열화가 억제된 다결성 실리콘 박막 트랜지스터의 제작 및 소자의 열화 특성 분석
전기학회논문지 C
2001 .10
저온 Poly-Si TFT의 공정 단순화를 위한 스태거 구조 박막 트랜지스터 개발
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
저온에서 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 수소화 효과에 대한 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .07
순차적으로 도우핑한 드레인을 가지는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지
1998 .04
저온 공정과 고온 공정에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 수소화 효과 연구
전기학회논문지
1996 .11
저온 다결정실리콘 박막트랜지스터의 수소화효과
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
저온 다결정실리콘 박막트랜지스터의 수소화효과 ( Hydrogenation Effects of Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
Development of a Low Temperature Doping Technique for Application in Poly-Si TFT on Plastic Substrates
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2003 .01
새로운 구조의 금속 유도 측면 결정화에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
스텝 어닐링에 의한 저온 및 고온 n형 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 특성 분석
전기전자재료학회논문지
2011 .01
Cu 흡착법에 의한 저온결정화 Poly-Si 박막트랜지스터의 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 신뢰도 향상을 위한 Counter-doped Lateral Body Terminal(CLBT) 구조
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
Development of a Low Temperature Doping Technique for Applications in Poly-Si TFT on Plastic Substrates
Journal of information display
2003 .01
다결정 실리콘 박막 트랜지스터 특성에 미치는 뒷 게이트 바이어스 효과에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
2000 .01
저온 poly-Si TFT의 제조시 Ion Shower Doping의 공정변수에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
대면적 TFT-LCD를 위한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 ( The Poly-Si Thin Film Transistor for Large-area TFT-LCD )
한국통신학회논문지
1999 .12
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