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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.26 No.12
- 발행연도
- 2009.12
- 수록면
- 32 - 40 (9page)
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#Deep RIE (심도 반응성 이온 식각)
#Through Silicon Via (관통형 실리콘 비아)
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#Cryogenic Process (극저온 공정)
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목차
- 1. 서론
- 2. DRIE를 이용한 TSV 형성 방법
- 3. DRIE 식각 장치 및 특성 분석
- 4. DRIE 공정 변수가 식각 공정에 미치는 영향
- 5. DRIE 식각 기술 문제점 해결 방법
- 6. DRIE 식각 실험 결과
- 7. 결론
- 후기
- 참고문헌
참고문헌
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