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대한전기학회 전기학회논문지 電氣學會論文誌 第46卷 第12號
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    MgGa₂S₄ and MgGaS₄:Co²⁺ single crystals were grown by the closed tube sublimation growth technique method. These single crystals had monoclinic structure, and the optical energy gap of MgGa₂S₄ was 3.31 eV at 300 K. The origin of impurity absorption peak in the MgGaS₄:Co²⁺ single crystal is the electron transition among energy levels of Co²⁺ located at the Cs symmetry site. In the photoluminescence spectrum of the single crystal at 10 K, a blue emission with a peak at 405 nm and a red emission with a peak at 607 nm were observed for the MgGa₂S₄ single crystal.

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      UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-560-019091145