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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.9 No.4
발행연도
2009.12
수록면
225 - 232 (8page)

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An analytical compact model for the asymmetric lightly doped Double Gate (DG) MOSFET is presented. The model is developed using the Lambert Function and a 2-dimensional (2-D) parabolic electrostatic potential approximation. Compact models of the net charge and channel current of the DGMOSFET are derived in section 2. Results for the channel potential and current are compared with 2-D numerical data for a lightly doped DG MOSFET in section 3, showing very good agreement.
#Device modeling #compact model #DG- MOSFET #circuit simulation

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. COMPACT DEVICE MODEL
Ⅲ. RESULTS AND CONCLUSIONS
APPENDIX A
APPENDIX B
REFERENCES

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