Si 이온주입결함이 B의 channeling 및 확산에 미치는 영향

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Si 이온주입결함이 B 의 channeling 및 확산에 미치는 영향 ( Effects of Si Ion Induced Defects on Channeling and Diffusion on B )

김광일 ,  정욱진 ,  배영호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )

김광일 ,  이상환 ,  정욱진 외 4명

전자공학회논문지-A

1994 .08

공기오염과 음(-)이온

지철근

조명·전기설비

2005 .06

“음(-)이온” 특집에 즈음하여

지철근

조명·전기설비

2005 .06

Deposition of polycrystalline Si thin film on glass substrates by using a direct negative Si ion beam source

김유성 ,  최대한 ,  최비공 외 6명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2006 .04

ISFET 이온감지기구의 Site Binding 모형 확장과 그 Si3N4 수소이온 감지막에의 적용 ( Extension of the Site Binding Model for Ion Sensing Mechanism of ISFET and Its Application to the Hydrogen Ion Sensing Si3N4 Membrane )

서화일 ,  권대혁 ,  이종현 외 1명

전자공학회논문지

1988 .11

BF2 이온 주입으로 형성된 a-Si 및 poly-Si 층을 혼합한 새로운 P+ 게이트 전극 구조 특성 연구

김선우 ,  김기준 ,  손재현 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

이온 주입 기술 현황

김종국 ,  이구현 ,  이상로

기계와 재료

2001 .01

실리콘 이온 주입후 고상 결정화된 Poly-Si TFT의 전기적 특성 ( The Electrical Characteristics of Poly-Si TFT Using SPC Films After Si ion Implantation )

이병주 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

선택적인 Si 이온 주입이 비정질 실리콘의 레이저 결정화에 미치는 영향

남우진 ,  이민철 ,  한민구

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .11

전해질로의 이온성 액체 응용

김동범 ,  원종옥 ,  김훈식

고분자 과학과 기술

2004 .08

이온주입시킨 Si-SiO2 계면에서의 전자상태 계산 ( Self-consistent Calculation of Electronic States at ion-implanted Si-SiO2 interface )

김충원 ,  공준진 ,  박성호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

고분자 전해질내 이온거동의 해석

김철환 ,  박정기

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

1999 .04

전해질 용액의 농도가 단결정 Si의 마찰거동에 미치는 영향

임대순

한국트라이볼로지학회 학술대회

1991 .06

고에너지 이온빔이 주입된 고분자의 물성연구

박성규 ,  이상윤 ,  주진수 외 2명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2002 .04

TOP ELECTRODE ANNEALING EFFECTS IN SrBi$_2$Ta$_2$O$_9$/CeO$_2$/Si STRUCTURE

Shin ,  Dong-Suk ,  Lee 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

음이온과 생활2

최태섭

한국원적외선협회보

2002 .01