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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第1號
발행연도
2010.1
수록면
1 - 5 (5page)

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본 논문에서는, SONOS 소자에서의 일반적인 CHE(Channel Hot Electron) 주입 방법과 기판 순바이어스를 이용한 새로운 전자 주입 방법의 프로그램 효율성에 대해 직접 비교하였다. 기존의 CHE 주입 방법과 비교해서, 새로운 전자 주입 방법은 낮은 구동전압, 빠른 프로그램 속도 등의 특성을 포함하여 높은 프로그램효율을 보였으며, 또한 드레인 영역에서의 순방향 읽기와 역방향 읽기의 문턱전압 차이가 1 V 가량 발생한다는 점에서 국소 주입 동작이 가능함을 확인하였다. 이렇게 제안된 전자주입 방법은 차세대 나노 크기 멀티-비트 SONOS 소자의 동작에 매우 유용하게 사용될 것으로 기대된다.
#Novel program method #substrate forward bias #multi-bit SONOS

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (7)

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1. [학술대회논문] - R. Bez / 2005 / Flash memory and beyond / VLSI Symp. Tech. Dig : 84 ~ 87 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - 조성재 / 2007 / 신뢰성 있는 동작을 위한 수직 구조 플래시 메모리의 공정 및 전압 조건의 최적화 연구 / 전자공학회논문지 30 (1) : 743 ~ 744 dbpia 3. [학술지(정기간행물)] - 박성수 / 2008 / Charge Pumping Method를 이용한 Silicon-Al2O3-Nitride- Oxide-Silicon Flash Memory Cell Transistor의 트랩과 소자 특성 분석 / 전자공학회논문지 - SD 45 (7) : 37 ~ 43 dbpia 4. [학술지(정기간행물)] - M. H. White / 2000 / On the go with SONOS / IEEE Circuits and Device Magazine 16 : 22 ~ 31 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - R. Ohba / 2006 / 25 nm Planar Bulk SONOS-type Memory with Double Tunnel Junction / IEEE IEDM Tech. Dig. Tech : 1 ~ 4 google schola

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