고에너지 이온빔이 주입된 고분자의 물성연구

박성규 ,  이상윤 ,  주진수 외 2명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2002 .04

이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )

유종선 ,  김여환 ,  김보우

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

국부 셀 격자 결함 모델을 사용한 극 저 에너지 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Ultra-Low Energy Ion Implantation using Local Cell Damage Accumulation Model )

권오근 ,  강정원 ,  황호정

전자공학회논문지-D

1999 .07

실리콘 식각 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거동향 연구

원대희 ,  이주훈 ,  김지형 외 3명

한국재료학회지

1996 .01

이온 주입된 MOSFET의 문턱 전압의 해석적 모델 ( Analytical Threshold Voltage Model of Ion-Implanted MOSFET )

김효식 ,  진주현 ,  경종민

전자공학회지

1985 .11

열처리에 따른 이온 주입시 발생하는 2차결함의 거동

김석구 ,  곽계달 ,  윤상현 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )

유종선 ,  김여환 ,  김보우

전자공학회지

1985 .01

A$s^+$이온을 주입시킨 Si 표면부 미세구조와 특성

신동원 ,  최철 ,  박찬경 외 1명

한국재료학회지

1992 .01

이온 주입 기술 현황

김종국 ,  이구현 ,  이상로

기계와 재료

2001 .01

결함 주입을 이용한 소프트웨어 보안 테스팅

김기범 ,  최영한 ,  양진석 외 1명

정보보호학회지

2006 .10

JFET 영역의 이중이온 주입법을 이용한 Power MOSFET의 온저항특성에 관한 연구

김기현 ,  양창헌 ,  김정한 외 2명

전기전자재료학회논문지

2015 .01

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

중수소 이온 주입된 게이트 산화막을 갖는 MOSFET의 전기적 특성

이재성

전자공학회논문지-SD

2010 .04

소자 크기가 고정된 전력 MOSFET의 최적화

黃圭漢 ,  曺重烈 ,  崔然益

전기학회논문지

1997 .04

급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )

김광일 ,  권영규 ,  정욱진 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

고에너지 이온주입 공정에 의한 유기 결함과 그 감소 대책

김영호 ,  김인수 ,  김창덕 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

포켓 이온 주입된 MOSFET 소자의 l/f 잡음 특성

이병헌 ,  이기영

전자공학회논문지-SD

2004 .03

고정된 소자치수를 갖는 전력 MOSFET의 최적화

최연익 ,  황규한 ,  박일용

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .11

이중 확산 MOSFET의 C-V 특성

배동건 ,  정상구 ,  최한묵 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12