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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.7
- 수록면
- 1,297 - 1,298 (2page)
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Omega-shaped-gate (OSG) nanowire-based field effect transistors (FETs) have been attracted recently attention due to their highdevice performance expected from theoretical simulations among nanowire-based FETs with other gate geometries. OSG FETs with the channels of ZnO nanowires were successfully fabricated in this study with photolithographic processes. In the OSG FETs fabricated on oxidized Si substrates, the channels of ZnO nanowires with diameters of about 60㎚ are coated surroundingly by Al₂O₃ as gate dielectrics with atomic layer deposition. About 80% of t ... 전체 초록 보기
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