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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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PECVD 기법에 의해 제조된 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 제조 및 특성 평가
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
PECVD에 의한 μc-Si : H 박막트랜지스터의 제조 ( Fabrication of μc-Si : H TFTs by PECVD )
전자공학회논문지-A
1996 .05
PECVD를 이용한 Si₃N₄ 박막의 공정변수에 따른 특성분석과 응용
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
PECVD를 이용한 SiO2 / Si3N4 박막의 특성 고찰 ( Characteristics of SiO2 / Si3N4 Films Using the PECVD Method Under Various Conditions )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
PECVD 기법에 의해 제조된 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
Optical Properties of Si nanocrystalline using PECVD
대한전기학회 학술대회 논문집
2011 .11
증착 온도가 PECVD 비정질 Si 박막의 고상 결정화에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
Characterization of B-doped a-Si : H Films Deposited by PECVD and Their crystallization behavior
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
PECVD 비정질 실리콘 증착 반응의 이론적 모델과 실험결과 ( Theoretical Model and Experimental Results of PECVD Amorphous Silicon Deposition Process )
전자공학회논문지
1990 .07
PECVD 비정질 실리콘 증착 반응의 이론적 모델과 실험결과 ( Theoretical Model and Experimental Results of PECVD Amorphous Silicon Deposition Process )
전자공학회논문지
1990 .06
PECVD 기법을 이용한 나노 결정 Si 박막의 구조 및 광학적 특성 평가
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
플라즈마 화학증착법으로 제조한 B-doped a-$Si_{1-X}$$C_X$:H 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 태양전지에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
Investigation on the Electric Properties of a-Si on c-Si by used PECVD
한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집
2012 .06
Si 및 InP 위에 PECVD법에 의한 $Si_{3}N_{4}$의 증착
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
60㎒ PECVD법에 의한 μc-Si:H 박막의 저온증착 및 태양전지 응용
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .07
스핀코팅법으로 Al, Ni을 흡착시킨 PECVD 비정질 실리콘 박막의 저온결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
Si3N4 기판 위에 PECVD 법으로 형성한 Tungsten Nitride 박막의 특성 ( Characteristic of PECVD-WNx Thin Films Deposited on Si3N4 Substrate )
전자공학회논문지-D
1999 .07
Si 함량이 PECVD SiON 박막의 전기적 및 광학적 물성에 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
Remote PECVD와 Direct PECVD에 의해 증착된 실리콘 산화막의 특성 평가 ( Evaluation of Silicon Oxide Films Deposited by Remote PECVD and Direct PECVD )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
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