플래시 메모리 기반의 가상 메모리 시스템을 위한 중복성을 고려한 GC 기법

지승구; 신동군

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자료유형: 학술저널

저자정보: 지승구 (성균관대학교) 신동군 (성균관대학교)

저널정보: Korean Institute of Information Scientists and Engineers 정보과학회논문지 : 시스템 및 이론 정보과학회논문지 : 시스템 및 이론 제37권 제3호

발행연도: 2010.6

수록면: 161 - 171 (11page)

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임베디드 시스템이 모놀리식(monolithic) 커널을 사용하면서, NAND 플래시 메모리는 가상 메모리 시스템의 스왑(swap) 공간을 위해 사용되고 있다. 플래시 메모리는 저전력 소비, 충격 내구성, 비 휘발성의 장점을 가지지만, ‘쓰기 전 삭제’의 특징 때문에 가비지 컬렉션(GC) 작업이 필요하다. GC 기법의 효율성은 플래시 메모리 성능에 큰 영향을 미친다. 본 논문에서는 플래시 메모리를 기반으로 하는 가상 메모리 시스템에서 메인 메모리와 플래시 메모리 사이에 중복된 데이터를 활용한 새로운 GC 기법을 제안한다. 제안된 기법은 GC 부하를 최소화하기 위해 데이터의 지역성을 고려한다. 실험 결과는 제안된 GC 기법이 이전의 기법과 비교하여 평균적으로 37%의 성능을 향상시킴을 보여준다.

#NAND 플래시 메모리 #플래시 변환 계층 #가비지 컬렉션 #가상 메모리 #버퍼 관리 #NAND flash memory #Flash Translation Layer (FTL) #Garbage Collection #Virtual Memory #Buffer Management

참고문헌 (20)

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1. [학술대회논문] - C. Park / 2004 / Energy-aware demand paging on NAND flash-based embedded storages / In Proc. International Symposium on Low Power Electronics and Design : 338 ~ 343

2. [학술지(정기간행물)] - Y. Joo / 2006 / Demand paging for One NAND flash eXecute-In-Place / In Proc. CODES+ ISSS’06 : 229 ~ 234

3. [학술대회논문] - J. In / 2007 / SWL: A Search- While-Load demand paging scheme with NAND flash memory / In Proc. Conference on Languages, Compilers, and Tools for Embedded Systems (LCTES) : 217 ~ 225

4. [인터넷자원] - / / Understanding the flash translation layer (FTL) specification / Intel Corporation

5. [인터넷자원] - / / CompactFlash Association / CompactFlash Association

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