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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
유형숙 (서울대학교) 이신영 (한국과학기술원) 신중훈 (한국과학기술원) 박남규 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
800 - 803 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

양자 구속 효과에 의한 Si-nc 비선형성 측정을 위한 SRSN 기반의 수평형 Slot Waveguide 최적화
유형숙 ,  이신영 ,  신중훈 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
양자 구속 효과에 의한 Si-nc 비선형성 측정을 위한 SRSN 기반의 수평형 Slot Waveguide 최적화
유형숙 ,  이신영 ,  신중훈 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

초록· 키워드

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The optimum parameters for slot waveguide using quantum confinement was designed to achieve maximum nonlinearity using finite element method. The Slot waveguide was composed of silicon-rich silicon nitride wall and Si nanocrystal slot. The effects on the field confinement of the slot width, height, slot thickness of slot waveguide with Si-nc were investigated, considering CMOS processing and coupling efficiency (single mode condition).

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Silicon Nanocrystal
Ⅲ. Slot Waveguide
Ⅳ. Structure Optimization
Ⅵ. 결론
참고문헌

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