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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.9
- 수록면
- 24 - 29 (6page)
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본 논문에서는 30 ㎚ 채널 길이와 5 ㎚의 채널 반지름을 갖는 실리콘 기반의 나노와이어 MOSFET의 고주파 모델링을 다루고 있다. 3차원 소자 시뮬레이션을 이용하여 실리콘 나노와이어 MOSFET의 Y-parameter와 Z-parameter를 100 ㎓까지 확보하였으며 이를 이용하여 모델 파라미터에 필요한 수식을 구하였다. 모델과 파라미터 추출 수식을 이용하여 회로 검증용 tool인 HSPICE에 의하여 검증이 이루어졌으며 quasi-static 기반의 고주파 모델이 100 ㎓의 높은 주파수까지도 소자의 특성을 정확히 예측함을 확인하였다. 모델 검증은 MOSFET의 포화 영역 (V<SUB>gs</SUB> = V<SUB>ds</SUB> = 1 V)과 선형 영역 (V<SUB>gs</SUB> = 1 V, V<SUB>ds</SUB> = 0.5 V)의 바이어스 조건에서 이루어졌으며 두 바이어스 조건에서의 Y-parameter에 대한 모델의 오차는 약 1 %로 매우 작은 값을 보여 준다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (9)
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1. [학술지(정기간행물)] - 윤형선 / 2004 / RFIC를 위한 Nano-scale MOSFET의 Effective gate resistance 특성 분석 / 전자공학회논문지 - SD 41 (11) : 965 ~ 970
2. [학술지(정기간행물)] - 이병진 / 2007 / SOI MOSFET’s의 소신호 등가 모델과 변수 추출 / 전자공학회논문지 - IE 44 (2) : 1 ~ 7
3. [학술대회논문] - N.-K.Tak / 2004 / RF Small Signal Modeling of Tri-Gate MOSFETs Implemented on Bulk Si Wafers / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 266 ~ 269
4. [학술대회논문] - A. A. Breed / 2004 / A small-signal, RF simulation study of multiple-gate and silicon-on insulator MOSFET devices / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 294 ~ 297
5. [학술지(정기간행물)] - S. Jin / 2006 / NANOCAD Framework for Simulation of Quantum Effects in Nanoscale MOSFET Devices / Journal of Semiconductor Technology and Science 6 (1) : 1 ~ 9
2. [학술지(정기간행물)] - 이병진 / 2007 / SOI MOSFET’s의 소신호 등가 모델과 변수 추출 / 전자공학회논문지 - IE 44 (2) : 1 ~ 7
3. [학술대회논문] - N.-K.Tak / 2004 / RF Small Signal Modeling of Tri-Gate MOSFETs Implemented on Bulk Si Wafers / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 266 ~ 269
4. [학술대회논문] - A. A. Breed / 2004 / A small-signal, RF simulation study of multiple-gate and silicon-on insulator MOSFET devices / 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : 294 ~ 297
5. [학술지(정기간행물)] - S. Jin / 2006 / NANOCAD Framework for Simulation of Quantum Effects in Nanoscale MOSFET Devices / Journal of Semiconductor Technology and Science 6 (1) : 1 ~ 9
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