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김정민 (명지대학교) 이동훈 (명지대학교) 윤태식 (명지대학교) 김용상 (명지대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2010 대한전기학회 제41회 하계학술대회
발행연도
2010.7
수록면
1,333 - 1,334 (2page)

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본 논문에서는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 플로팅 게이트 비휘발성 메모리를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 게이트와 터널링 유전체로 polymethymethacrylate (PMMA)를 사용하였고, CdSe 나노입자를 플로팅 게이트로 사용하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 터널링 유전체와 플로팅 ... 전체 초록 보기

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