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초록·키워드
GaN and related ternary compounds have been widely used for fabrication of light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs). Especially, low-dimensional active layers such as quantum wells, quantum wires, and quantum dots have been investigated as an effective structure for improving the emission efficiency. Although GaN-based optoelectronic devices with the c-axis orientated structures have achieved maturity sufficient for reproducible industrial production, the effects of axis-dependent strong piezoelectric polarization limit the performance of quantum well active regions. These polarization-induced internal fields reduce the efficiency of carrier recombination rate. And the effect of red-shift in band edge emission makes it difficult t ... 전체 초록 보기
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