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초록·키워드
ZnO thin films with growth interrupted ZnO buffer layers were grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE). The buffer layers were grown by two step growth. The first step of the ZnO buffer layers were grown without interrupt and the second step of the buffer layer growth was interrupted for 10 s, after the deposition of 18, 12, and 9 s. The cycle from deopsition to interruption were repeated for that were repeated 20, 30, and 40 times respectively, while the O2 plasma was kept constant during the growth. The structural and the optical properties of the ZnO thin films have been investiga ... 전체 초록 보기
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