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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2010년도 추계학술발표대회 논문집
발행연도
2010.11
수록면
415 - 420 (6page)

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In manufacturing the solar cell with high efficiency crystalline structure, forming the emitter layer by phosphorous doping is one of the critical factors to determine the efficiency of solar cell. Forming the layer of emitter doped with a lower impurity concentration makes the spectral response improvement in the short wavelength region and increases the amount of short circuit current. However shallow emitter requires various material and process optimizations such as the contact resistance reduction, junction leakage prevention and metal contact firing profile. This paper reports our efforts directed to minimize the contact resistance by optimizing emitter uniformity, front Ag metal contact on a shallow emitter layer for the high efficiency solar cells. Using Cz p-type Si wafer with 125㎜ by 125㎜ area, we fabricated shallow emitter with the sheet resistance of 60-100ohm/square by changing temperature and gas ratio of N2,O2, POCl3 in batch type furnace. We varied the belt speed of metal firing furnace and the number of screen printed metal fingers. The contact resistance was measured by using contact resistance mapping instrument. We observed that the amount of current density was improved more than 1mA/cm2 in comparison to the reference cells with sheet resistance of 40-60ohm/square.
#태양전지(Solar cell) #Shallow 에미터(Shallow Emitter) #변환 효율(Coversion efficiency) #접촉 저항(Contact resistance)

목차

Abstract
1. 서론
2. 접촉 저항에 관한 고찰
3. 실험
4. 결과 및 고찰
5. 결론
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