게이트 절연체의 두께에 대한 IGZO TFT의 전기적 특성

Q: 이 논문에서 정의한 IGZO TFT란 무엇인가?

IGZO TFT는 기존 ZnO 박막에 In과 Ga을 첨가하여 만든 In2O3-Ga2O3-ZnO 기반의 비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터이다. 이는 높은 이동도와 낮은 문턱전압 특성을 가지며, 3.4eV의 밴드 갭 에너지로 가시광선 영역에서 투명한 특성을 보여 디스플레이 및 신개념 표시 장치에 활용된다.

Q: IGZO TFT의 게이트 절연막 두께가 전기적 특성에 어떤 영향을 미치는가?

연구 결과, IGZO TFT에서 게이트 절연막 두께가 증가할수록 게이트 산화막 커패시턴스가 감소하여 문턱전압은 증가하는 경향을 보인다. 동시에 문턱전압의 증가는 서브스레시홀드 스윙(SS) 값을 감소시키는 결과를 가져온다. 이는 소자의 스위칭 특성에 영향을 미친다.

성효성; 김우성; 김홍승; 윤영; 장낙원

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저자정보: 성효성 (한국해양대학교) 김우성 (한국해양대학교) 김홍승 (한국해양대학교) 윤영 (한국해양대학교) 장낙원 (한국해양대학교)

저널정보: 한국마린엔지니어링학회 한국마린엔지니어링학회 학술대회 논문집 한국마린엔지니어링학회 2010년도 후기학술대회 논문집

발행연도: 2010.10

수록면: 413 - 414 (2page)

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We simulate indium-gallium-zinc-oxide thin-film-transistors (IGZO TFTs). The effects of the interface between the Gate insulate and IGZO channel on the electrical properties of a-IGZO TFTs were simulated. IGZO TFTs was simulated by using the well-known physical model based on the exponen ... 전체 초록 보기

#IGZO #Gate Insulator #Threshold Voltage #Subthreshold Swing(SS) #Thin-Film Transistor

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