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정태희 (건국대학교) 김태범 (건국대학교) 신준오 (건국대학교) 윤나리 (건국대학교) 우성철 (건국대학교) 강기환 (한국에너지기술연구원) 안형근 (건국대학교) 한득영 (건국대학교)
저널정보
한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 한국태양에너지학회 논문집 제30권 제6호
발행연도
2010.12
수록면
16 - 21 (6page)

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It is well-known that Boron-doped Cz Si solar cells suffer light-induced degradation due to aboron-oxygen defect which is responsible of a reduction in lifetime and hence efficiency. In this paper, we assume that PV solar cell has been connected with variable load to account the real operating condition and it shows different light-induced degradation of Si solar cell. To evaluate the effect of light-induced degradation for solar cell with various load, Single crystalline solar cells are connected with open and short circuits during light exposure. Isc-Voc curve evaluate light induced degradation of solar cells and the reason is explained as a change for serial resistance. From the results, Electrical characteristics of solar cells show better performance under short circuit conditions, after light exposure.
#태양전지 모듈(Photovoltaic module) #단결정 태양전지(Single crystalline solar cell) #LID(Ligjht Induced Degradation) #소수캐리어 수명시간(Minority carrier lifetime) #단락회로(Short circuit) #개방회로(Open circuit)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결론
후기
참고문헌

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - Kengo Morita / 2003 / DEGRDATION FACTOR ANALYSIS OF CRYSTALLINE-Si PV MODULES THROUGH LONG-TERM FIELD EXPOSURE TEST / 3rd world conference on Photovoltaic Energy Conversion google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Hiroshi Hashigami / 2003 / Effect of illumination conditions on Czochralski-grown silicon solar cell degradation / Journal of applied physics 93 (7) : 4240 ~ 4245 google schola 3. [단행본] - Ben Damiani / 2002 / LIGHT INDUCED DEGRADATION IN CZOCHRALSKI SILICON DURING ILLUMINATED HIGH TEMPERATURE PROCESSING / IEEE : 348 ~ 351 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Hiroshi Hashigami / 2002 / Performance Degradation of Czochralski-GrownSilicon solar cells by Means of CurrentInjection / J. Appl.Phys 41 : 1191 ~ 1193 google schola 5. [단행본] - Bianca Lim / 2008 / Jan Schmidt "Modeling the grneration anddissociation of the boron-oxygen complex in B-doped CZ-Si / IEEE google schola

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